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在运营温度130K时，钨基纳米激光器意味着必须27nW的抽运能量。研究人员指出，由于小尺寸和低功耗的特点，钨基纳米激光器沦为光子集成电路中很好的替代品。　　华盛顿大学和斯坦福大学的研究人员研发了该器件，关键是他们在器件的光子晶体腔上加了一层钨硒膜。

该研究公开发表于Nature(doi：10.1038/nature14290).　　华盛顿大学的博士研究生WuSanfeng讲解：这是最近的找到，这种新型半导体十分厚，而且能很高效的闪烁。研究人员基于这种材料的特性，正在制作晶体管、发光二极管和太阳能电池，还有钨基纳米激光器。　　与此同时，研究人员用于另一种原子薄片作为激光增益介质，可实现多种用途，为更加便利的掌控激光获取了条件。

　　华盛顿大学教授ArkaMajumdar讲解：在用于其他材料时，增益介质是嵌入式的，显然不有可能去转变它。在我们的纳米激光器中，你可以除去或者加到这种单层结构，十分便利。　　二硒简化钨单层结构需要将必要带上隙激子专门容许在腔表面的1nm范围内。

这种材料还可以通过外部掌控构建灵活性的激光操作者，例如静电导通门控和电流流经。一层超薄的半导体膜砖在光子腔表面　　该项研究受到了美国空军科学研究局，海军研究局，美国国家科学基金，美国能源部，欧洲委员会以及华盛顿的清洁能源研究所的资助。

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